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Neuheit

Semisouth SiC-JFET 1200 - 1700 V / 5 - 60 A

Vorteile SiC-JFET gegenüber Si-IGBT

7- bis 10-mal geringere Schaltenergie (typ. 225 μJ)
2.5-mal geringere Schaltverluste (Ausgangskapazität typ. 100 pF)
höhere Effizienz bei Tieflast
temperaturstabiler

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